...
机译:静电掺杂漏极无结晶体管,适用于低功耗应用
AMU, ZHCET, Elect Engn Dept, Aligarh 202002, Uttar Pradesh, India;
AMU, ZHCET, Elect Engn Dept, Aligarh 202002, Uttar Pradesh, India;
AMU, ZHCET, Elect Engn Dept, Aligarh 202002, Uttar Pradesh, India;
Junctionless transistor; Charge plasma; Dopingless; Band-to-band tunneling; Leakage current;
机译:用于低功耗应用的静电漏极结晶体管
机译:电自隔离的GaN-on-Si无结鳍状沟道场效应晶体管的设计与表征,具有低功耗应用中更高的成本效益
机译:考虑CMOS低功耗应用的源/漏耗竭效应的双栅堆叠氧化物连接晶体管的分析模型
机译:使用漏极附近的轻掺杂区来减少无结晶体管的隧道漏电流
机译:用于神经形态应用的肖特基源极/漏极氢化非晶硅薄膜晶体管。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:用于高温应用的静电掺杂平面场效应晶体管