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毛兴武;
电子镇流器; 联栅晶体管; BSIT;
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:利用寄生双极结晶体管效应开发基于高性能全耗尽型绝缘体上硅的扩展栅场效应晶体管
机译:双极模式静电感应晶体管:实验和二维分析
机译:双极静电感应晶体管(BSIT)静态模型
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:埋设栅极结构的双极静态感应晶体管(BSIT)的电压性能提高
机译:透水基三极管,对置栅 - 源晶体管和异质结构发射弹道场效应晶体管比较电性能的数值模拟
机译:双极隔离栅晶体管器件,包括与具有改进的漏极触点的组件场效应晶体管串联连接的隔离栅场效应晶体管
机译:具有侧壁源极-漏极触点的单栅场效应晶体管和双栅场效应晶体管的制造方法
机译:双极绝缘栅晶体管器件,半导体器件的制造方法以及栅极绝缘栅双极晶体管器件的制造方法
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