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机译:用于低功耗VLSI电路设计的静电掺杂隧道CNTFET模型
Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Jalandhar;
Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Jalandhar;
Band-to-band tunneling (BTBT); Carbon nanotube (CNT); CNTFET; Leakage current; Low power;
机译:基于静电掺杂隧道CNTFET的低功耗SRAM的设计和性能分析
机译:基于静电隧道CNTFET的低功耗SRAM的设计与性能分析
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