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机译:一种用于顶部和底部接触有机晶体管的线性和饱和区域中参数提取的分析方法
Department of Electronics Communication Engineering Graphic Era University">(1);
Department of Electronics Communication Engineering Uttarakhand University">(3);
Department of Polymer and Process Engineering Indian Institute of Technology">(2);
Department of Electronics Communication Engineering Uttarakhand University">(3);
Analytical model; Bottom contact; Contact resistance; Mobility enhancement factor; Organic transistor; Top contact;
机译:一种用于顶部和底部接触有机晶体管的线性和饱和区域中参数提取的分析方法
机译:有机薄膜晶体管的顶部和底部接触结构的分析建模和参数提取
机译:通过基于单个底栅/顶接触式有机薄膜晶体管的参数提取方法分析的接触效应
机译:底部接触有机场效应晶体管中非线性电荷注入的二维分析建模
机译:有机薄膜晶体管:用于集成电路设计的Spice模型参数提取。
机译:在有机晶体管中实现完全分析接触电阻的表达
机译:图1:用于:(a)区域的长距离触点的可视化示例,这里增强了来自人胎儿脑细胞的两个10kb分辨率的Hi-C地图。从兴趣点计算联系人高达30个距离距离。顶部到底:jbrowse(Skinner等,2009)截图,具有基因和互动曲线表示(绿色兴趣点,它们的黄色接触预测); HICENTERPLISE交互配置曲线图具有强度(由距离加权)和FDR校正的P值(Q值)的-LOG10,其阈值设置为0.01。 (b)TADS,这里是来自Huvec的第17次染色体的150 KB分辨率Hi-C地图的Hicenterprise可视化。左上三角:原版Hi-C地图接触频率;右下三角形:跨度相互作用的Q值的-log10计算,使用超几何分布计算。