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机译:通过基于单个底栅/顶接触式有机薄膜晶体管的参数提取方法分析的接触效应
Kyoto Univ, Dept Elect Sci & Engn, Kyoto 6158510, Japan;
Kyoto Univ, Dept Elect Sci & Engn, Kyoto 6158510, Japan;
Keio Univ, Dept Elect & Elect Engn, Yokohama, Kanagawa 2238522, Japan;
机译:从单个底栅/顶接触有机晶体管的电特性中提取接触电阻和沟道参数
机译:F 4 TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:F 4 TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:具有全氟聚合物涂层的底栅/顶接触型聚合物基有机场效应晶体管的极高电稳定性
机译:有机薄膜晶体管:用于集成电路设计的Spice模型参数提取。
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对顶部接触并五苯有机薄膜晶体管性能改善的影响