机译:X射线法测定SiC晶体的极性
IBM Laboratorien Boeblingen, Schoenaicher First 10, Germany;
机译:PVT法生长在6H-SiC晶种上的高质量4H-SiC晶体的晶种极性的影响
机译:弥散X射线散射法测定3C-SiC晶体的堆垛层错密度。
机译:物理气相传输法研究SiC单晶生长的种子极性
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机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:比较串行X射线晶体学和微晶电子衍射(MicroED)作为从小分子大分子晶体确定常规结构的方法
机译:多晶的X射线研究。 X射线衍射方法,用于在未解决的双线上进行精确测定多晶晶格参数