...
机译:后掺杂退火在低掺杂锰薄膜中诱导的金属-绝缘体转变
Centro Atómico Bariloche, Instituto Balseiro, Comisión Nacional de Energía Atómica - Universidad Nacional de Cuyo, Av. Bustillo 9500 - Km 9.5, San Carlos de Bariloche 8400, Río Negro, Argentina;
annealing; Curie temperature; doping profiles; electrical resistivity; Fermi level; lanthanum compounds; magnetic thin films; metal-insulator transition; remanence; strontium compounds; vacancies (crystal);
机译:后掺杂退火在低掺杂锰薄膜中诱导的金属-绝缘体转变
机译:沉积后退火对射频磁控溅射制备VO_(2-x)薄膜的金属-绝缘体转变的影响
机译:对低掺杂锰矿薄膜的氧气退火诱导的相变温度的洞察
机译:W掺杂VO
机译:稀土锰酸盐的研究:(1)掺杂诱导从铁磁性导电到La(1-x)Ca(x)mnO(3)中电荷有序绝缘状态的过渡。 (2)场依赖性低温比稀土锰矿床
机译:掺Sb的SnO2超薄膜中厚度诱导的金属-绝缘体跃迁:量子约束的作用
机译:沉积后退火引起在Si(111)上从六角形$ Pr_2O_3 $过渡到立方$ PrO_2 $膜