机译:撤回:“SI(001)上生长的锗膜的SB和P对锗膜的原位共掺杂的调查”
AECS Dept Phys POB 6091 Damascus Syria;
AECS Dept Phys POB 6091 Damascus Syria;
AECS Dept Phys POB 6091 Damascus Syria;
AECS Dept Phys POB 6091 Damascus Syria;
机译:缩回:“通过分子束外延研究在Si(001)上生长的锗膜的Sb和P进行原位共掺杂”
机译:Si(001)在Si(001)上生长的锗膜的原位协同掺杂对分子束外延的研究
机译:在Sb表面活性剂存在下通过分子束外延生长的GeSi / Si(001)薄膜的塑性弛豫
机译:通过等离子体辅助分子束外延生长的金刚石-TiO_2(001)/ GaN(0001)薄膜的核心和化学计量依赖性
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:分子束外延生长GaAsSb外延层中的局部状态研究
机译:分子束外延在Si(001)上生长的锗膜的Sb和P对原位共掺杂的研究“J。苹果。物理。 123,133102(2018)