机译:C掺杂的SiGe单层的理论表征
MJP Rohilkhand Univ, Fac Engn & Technol, Appl Phys Dept, Bareilly 243006, Uttar Pradesh, India;
MJP Rohilkhand Univ, Fac Engn & Technol, Appl Phys Dept, Bareilly 243006, Uttar Pradesh, India;
Natl Phys Lab, CSIR, Dr KS Krishnan Marg, New Delhi 110012, India;
机译:C掺杂SiGE单层的理论表征
机译:氮掺杂单层石墨烯片的大规模生长与表征
机译:溶解气体分子在固有和Cr掺杂INP_3单层吸附的变压器油中的理论研究
机译:用选择性B掺杂SiGE CVD形成高GE馏分SiGe通道MOSFET的高GE馏分SiGe通道MOSFET
机译:掺Do增益结构的理论分析及掺Particle颗粒的表征
机译:WS2单层的碳掺杂:带隙减少和p型掺杂传输
机译:氧化物上单层MOS 2空位掺杂的理论与实验研究