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机译:反应离子刻蚀引起的缺陷对重掺杂Mg的p型GaN表面带弯曲的影响
Institute of Photonics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan, Republic of China;
机译:蚀刻诱导的掺杂P型GaN的抗损伤及其通过低偏压电感耦合等离子体反应离子蚀刻的抑制
机译:重掺杂Mg的GaN接触层中形成的深层缺陷带对p / GaN的Ni / Au接触的影响
机译:掺Mg的InGaN表面的能带弯曲变化:在整个成分范围内p型电导率的证据
机译:通过同步辐射照相光谱研究研究的GaN薄膜的极化诱导的表面带弯曲
机译:n型和p型氮化镓的能带弯曲研究。
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:重掺杂Mg的薄GaN覆盖层对p型GaN欧姆接触形成的影响
机译:在清洁的n和p-GaN(0001)表面上的能带弯曲和光发射诱导的表面光伏。