机译:(100)GaAs衬底上铁磁Ga_(1-x)Mn_xAs层的磁输运特性
Quantum Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul, 100-715 Korea;
机译:(100)GaAs衬底上铁磁Ga_(1-x)Mn_xAs层的霍尔系数研究
机译:(100)GaAs衬底上Ga_(1-x)Mn_xAs层的液相外延生长和表征
机译:Ga_(1-x)Mn_XAs / GaAsrBe / Ga_(1-x)Mn_XAs三层结构中反铁磁层间交换耦合的观察
机译:超薄GA_(1-X)MN_XAS薄膜作为层厚度的铁磁共振研究
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:具有高mn含量的Gamnas层的结构和磁性 通过迁移增强外延生长在Gaas(100)衬底上
机译:Gaas-Ga(1-x)alxas异质结构中二维空穴气体的磁输运特性和子带结构