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机译:离子轰击和退火对氢化非晶硅金属-半导体-金属结构电性能的影响
Advanced Technology Institute, School of Electronics and Physical Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, United Kingdom;
机译:基于非晶氢化硅的p-i-n结构的光学性质,其具有通过纳秒激光退火形成的硅纳米晶体
机译:掺硼氢化非晶硅的理化性质与电学性质的关系:热退火的影响
机译:通过退火改善硒和硫掺杂的氢化非晶硅薄膜的电性能
机译:底栅氮化硅/氢化非晶硅结构的电子性能
机译:沉积过程中离子轰击对氢化非晶硅锗薄膜和光伏器件性能的影响。
机译:HIT太阳能电池应用中基于非晶硅MIS的结构的电学表征
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机译:氢化非晶硅的结构与性能理论。