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赵谦; 王波; 严辉; 久米田稔; 清水立生;
北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022;
金泽大学电子、电气与计算机工程系,金泽,920-8667,日本;
氢化非晶硅 ; 铒掺杂; Si悬挂键; 光荧光;
机译:氢化非晶硅中光致生键和硅悬键退火的温度依赖性-技术领域。没有。 235207
机译:空穴陷阱态的光致退火:氢化非晶硅中光致变化的新方面
机译:掺硼氢化非晶硅合金中光致缺陷的退火行为
机译:光浸泡和退火的氢化非晶硅太阳能电池中的缺陷密度分析
机译:氢化非晶硅中光致缺陷的性质和演变
机译:在退火的氢化非晶硅层中形成气泡
机译:饱和光致缺陷密度对氢化非晶硅宏观性能的影响
机译:非晶氢化氮化硅薄膜中的光诱导氮悬挂键。
机译:放射线图像转换面板,其制造方法,荧光体颗粒的形成方法,光致刺激性荧光体前体的形成方法,荧光体前体和光致刺激性荧光体
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