机译:应变Si_(1-x)Ge_x氧化过程中富Ge层的形成
机译:在松弛的Si_(1-x)ge_x虚拟衬底上使用通过氧化形成的富含Ge的层在应变Si / si_(1-y)ge_y双通道上进行新制备
机译:使用块状富Ge的Si_(1-x)Ge_x晶体和油浸拉曼光谱法测定富Ge的Si_(1-x)Ge_x中的声子形变势和应变位移系数
机译:应变Si_(1-x)Ge_x和Si_(1-y)C_y层对在氧化物缓冲的Si衬底上生长的La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3膜的影响
机译:富含富含的Si_(1-X)Ge_x纳米晶体形成通过沉积的薄无定形Si_(0.7)Ge_(0.3)层氧化
机译:通过有限反应处理在硅(1-x)锗(x)应变层中形成错配位错
机译:由环戊酮氨和富马酸二甲酯意外地一锅生成1H-6a8a-表三三环戊ace 8环戊烯体系。高应变多环氮氧化物的合成及EPR研究
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:通过湿法氧化沉积在si(100)上的非晶siGe层产生的外延si(1-X)GE(x)薄膜的形成