机译:金属有机化学气相沉积法在SiC上生长和表征N极GaN膜
机译:使用铟表面活性剂在邻近SiC衬底上的N极性GaN膜的金属有机化学气相沉积
机译:生长温度对金属有机化学气相沉积法生长N极GaN薄膜杂质掺入和材料性能的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积在(111)硅上生长的N极GaN膜和AlGaN / GaN异质结构的性质
机译:通过金属有机化学气相沉积法在多孔4H-SiC衬底上生长GaN膜
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过金属有机化学气相沉积法在邻近蓝宝石衬底上生长N极性GaN