机译:相邻的蓝宝石衬底对通过金属有机化学气相沉积法生长的N极GaN薄膜性能的影响
机译:使用铟表面活性剂在邻近SiC衬底上的N极性GaN膜的金属有机化学气相沉积
机译:相邻蓝宝石衬底对通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN外延层和LED结构的影响
机译:用于太赫兹应用的GaN / Sapphire上的极性和N-POIL INN半导体的脉冲金属化学气相沉积
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的alN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体结构的电容 - 电压表征
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较