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机译:高速磁性随机存取存储单元的异形磁性隧道结性能
Device Platforms Research Laboratories, NEC Corporation, Sagamihara 229-1198, Japan;
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机译:低写入电流磁性随机存取存储单元的写入线插入磁性隧穿结的性能
机译:磁性随机存取存储单元中磁性隧道结的介质隧道RC器件模型
机译:基于MgO的隧道开关材料,用于高速切换磁随机存取存储器
机译:高速磁随机存取存储器单元的形状变化磁隧穿结的性能
机译:磁性随机存取存储器中使用的磁性薄膜的特性。
机译:使用磁隧道结自旋扭矩纳米振荡器的高速单边带发生器
机译:低温功能CofeB / MgO基垂直磁隧道结,用于低温非易失性随机存取存储器