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机译:通过将氧气入侵Ti层来控制Pt-Ti-0栅极硅金属绝缘体半导体场效应晶体管氢气传感器的阈值电压
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
机译:Pt / Ti闸极Si-金属氧化物-半导体场效应晶体管氢气传感器的设备分析:无意识的氧气侵入Ti层
机译:Ni_xSi_y栅电极的Si / Ni组成比和Hf基高k绝缘子的Hf / Si组成比对金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压可控性和迁移率的影响
机译:恶劣环境下的Pt-Ti-O栅极硅金属绝缘体半导体场效应晶体管氢气传感器
机译:新型Pt-Ti-O栅极硅金属绝缘体半导体场效应晶体管氢气传感器
机译:氮化镓功率晶体管阈值电压控制的栅极堆叠设计。
机译:调整电解质门控有机场效应晶体管中的阈值电压
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:用悬浮栅场效应晶体管传感器阵列评估氢气和氨气混合物