机译:通过分子束外延生长控制Ge / Si(001)外延层中的拉伸应变和相互扩散
Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Marseille Cedex 09, France;
Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Marseille Cedex 09, France;
Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Marseille Cedex 09, France;
Universite de Lorraine, Institut Jean Lamour, CNRS UMR 7198, Nancy-Universite, BP 70239, 54506 Vandoeuvre-les-Nancy Cedex, France;
Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Marseille Cedex 09, France;
Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Marseille Cedex 09, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Universite Paris-Sud, Bat. 220, 91405 Orsay, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Universite Paris-Sud, Bat. 220, 91405 Orsay, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Universite Paris-Sud, Bat. 220, 91405 Orsay, France;
Universite de Lorraine, Institut Jean Lamour, CNRS UMR 7198, Nancy-Universite, BP 70239, 54506 Vandoeuvre-les-Nancy Cedex, France;
Research Institute of Electrical Communications, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
机译:通过分子束外延生长控制Ge / Si(001)外延层中的拉伸应变和相互扩散
机译:AlGaN缓冲层对6H-SiC(0001)分子束外延生长的GaN外延层双轴应变的影响
机译:低温分子束外延生长的GeSi / Si(001)异质结构的应变弛豫
机译:In / sub x / Ga / sub 1-x / As外延层(0.32 / spl les / 2 / spl les / 1)通过分子束外延生长在InP衬底上的位错产生机理
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:在单晶MgO(001)基底上生长的FeRh外延层中基底诱导的应变场
机译:在Si(001)-2×1上生长的Si1-Xgex癫痫仪的原位表面技术分析和分子束外延
机译:在低温下使用分子束外延生长的III-V外延层的超快速探测器具有375-GHz带宽