机译:使用缺陷限制技术在大规模Si(001)晶片上的浅沟槽隔离中InP的选择性区域生长
D. Vanhaeren;
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D. Vanhaeren,Katholieke Universiteit Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001, Leuven, Belgium;
D. Vanhaeren;
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机译:利用MOVPE在Si(001)衬底上的亚微米浅沟槽隔离沟槽内选择性外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的生长速率:建模和实验
机译:通过在浅沟槽隔离的Si(001)沟槽中进行选择性外延生长来制造高质量的Ge虚拟衬底
机译:使用含草酸或柠檬酸的过氧化氢基二氧化硅浆料在浅沟槽隔离(STI)模板结构中对图案化的InP进行化学机械平面化
机译:浅沟槽隔离晶晶体中锗的选择性外延生长:GE虚拟基板的方法
机译:浅沟槽隔离有界单光子雪崩检测器的开发,用于声光信号增强和频率上变频。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:离轴Si(001)衬底上浅沟槽隔离结构中InP的选择性区域生长
机译:0.5微米浅沟槽211隔离技术中产量限制缺陷的识别