机译:生长温度对GaAs(100)衬底上外延生长的MnAs薄膜的磁和电子性能的影响
Department of Physics, Chungnam National University, Daejeon 305-764, South Korea;
Department of Physics and Astronomy, Northwestern University, Evanston, Illinois 60208, USA;
Department of Physics and Astronomy, Northwestern University, Evanston, Illinois 60208, USA;
机译:精确(111)B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性质:超薄GaAs缓冲层的影响
机译:在精确的GaAs(111)B衬底上生长的外延MnAs / NiAs / MnAs异质结构的生长和磁性
机译:基质温度对GaAs(100)衬底上生长的CdTe(100)表观膜的结构和光学性质的影响
机译:精确111 B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性能:超薄GaAs缓冲层的作用
机译:外延生长的镍铁薄膜的生长,结构和某些磁性。
机译:通过分子束外延在MgO(100)上生长的外延薄膜MgFe2O4的磁性和输运性质
机译:MgO中间层对在GaAs衬底上外延生长的Co sub 2 Cr sub 0.6 Fe sub 0.4 Al薄膜的结构和磁性的影响
机译:在截面和奇异Gaas(100)衬底上的超薄外延Fe薄膜的自旋分辨电子结构