机译:在精确的GaAs(111)B衬底上生长的外延MnAs / NiAs / MnAs异质结构的生长和磁性
Univ Tokyo, Dept Elect Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
magnetic heterostructure; molecular beam epitaxy; MnAs; NiAs; GaAs; (III)B; MNAS THIN-FILMS; GAAS; HETEROSTRUCTURES; INJECTION;
机译:精确(111)B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性质:超薄GaAs缓冲层的影响
机译:在邻近GaAs(111)B衬底上生长的MnAs / AlAs / MnAs三层异质结构的生长特性和隧穿磁阻
机译:生长温度对GaAs(100)衬底上外延生长的MnAs薄膜的磁和电子性能的影响
机译:精确111 B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性能:超薄GaAs缓冲层的作用
机译:铁磁MnAs / GaAs异质结构和MnAs / InAs自旋LED的研究。
机译:有限尺寸对MnAs / GaAs(001)图案化微结构薄膜的结构和磁性的影响
机译:磁畴结构和畴壁分析在Si(111)基板上选择性生长的旋转式应用中的磁性磁性纳米载体