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机译:金属氧化物/有机半导体非易失性存储器中的单极电阻切换是一种严重现象
Molecular Materials and Nanosy stems and Institute for Complex Molecular Systems, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands;
Instituto de Telecomunicacoes, Av. Rovisco, Pais, I,1049-001 Lisboa, Portugal and Universidade do Algan'e, Campus de Gambelas, 8005-139 Faro, Portugal,Max-Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128 Mainz, Germany;
Instituto de Telecomunicacoes, Av. Rovisco, Pais, I,1049-001 Lisboa, Portugal and Universidade do Algan'e, Campus de Gambelas, 8005-139 Faro, Portugal;
Max-Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128 Mainz, Germany;
Molecular Materials and Nanosy stems and Institute for Complex Molecular Systems, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands;
机译:具有非晶氧化物半导体的金属铁电半导体非易失性存储器中的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯的铁电转换
机译:用于非易失性存储应用的掺铝二氧化铈薄膜中双极性和单极性电阻开关的共存
机译:聚(苯乙烯-共-苯乙烯磺酸Na)对有机非易失性存储器件的单极双稳态转换
机译:高k三元稀土氧化物Lahoo3薄膜的单极电阻切换行为,用于非易失性存储器应用
机译:用于非易失性浮栅和电阻开关存储应用的金属氧化物电介质的研究。
机译:尺度效应对金属氧化物单极性和双极性电阻转换的影响
机译:金属氧化物/有机半导体非易失性存储器中的单极电阻切换是一种严重现象
机译:过渡金属氧化物,非晶半导体,半导体玻璃,Ovshinsky效应和其他开关(存储)材料 - 文献综述