The University of Texas at Dallas.;
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:通过引入用于金属浮栅存储器阻挡氧化物的SiO_2层来抑制金属上的电介质结晶
机译:过氧化物诱导ZnO基电化学金属化存储器中的挥发性和非挥发性切换行为
机译:纳米晶嵌入式栅介质和氮氧化物叠层介质GAA MOSFET非易失性存储器件的比较研究
机译:用于非易失性存储器应用的高k电介质和金属栅电极的研究。
机译:用原位透射电镜研究由氧化钨和铜构成的电阻型随机存取存储器的开关操作和性能下降
机译:采用宏观极化堆栈的高速和非易失性存储器件,由与工程隧道氧化物阻挡层相互连接的双浮动栅极组成