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机译:通过引入用于金属浮栅存储器阻挡氧化物的SiO_2层来抑制金属上的电介质结晶
Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695, USA;
Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695, USA;
机译:具有高密度钴纳米点浮栅和HfO_2阻挡电介质的金属氧化物半导体电容器的存储特性
机译:印刷的,柔性的有机纳米浮栅存储器:金属纳米颗粒和阻挡电介质对存储器特性的影响
机译:基于浮栅存储的单层MoS2晶体管,其栅极电介质中嵌入了金属纳米晶体
机译:通过插入HfO_2 / SiO_2阻挡氧化物层来增强包含AglnSbTe-SiO_2纳米复合材料的非易失性浮栅存储器件
机译:用于非易失性浮栅和电阻开关存储应用的金属氧化物电介质的研究。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:聚酰亚胺电介质中金属氧化物纳米粒子的纳米浮栅存储器件