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机译:具有非晶氧化物半导体的金属铁电半导体非易失性存储器中的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯的铁电转换
Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5656 AE Eindhoven, The Netherlands,Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands;
Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5656 AE Eindhoven, The Netherlands;
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机译:使用氧化物半导体和铁电聚合物聚偏二氟乙烯-三氟乙烯的柔性非易失性存储器件
机译:基于PbTiO_3的金属铁电半导体结构的非易失性电阻转换特性
机译:溶胶-凝胶法制备BaTiO_3薄膜的金属铁电半导体非易失性存储器的制备与表征
机译:聚偏二氟乙烯-三氟氯乙烯薄膜中的铁电极化和具有低聚噻吩单晶的非易失性铁电存储器
机译:聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物及其与聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物的共混物的电致伸缩和铁电性能。
机译:源于非挥发性存储器非晶膜中氧空位偶极子的类铁电行为
机译:具有非晶氧化物半导体的金属铁电半导体非易失性存储器中的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯的铁电转换
机译:过渡金属氧化物,非晶半导体,半导体玻璃,Ovshinsky效应和其他开关(存储)材料 - 文献综述