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一种基于双栅材料的单极性类金属氧化物半导体碳纳米管场效应管设计方法

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摘要

由于导电沟道一源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS )碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大影响了器件性能的提高及其在电路中的应用.为获得具有理想单极性传输特性的类M OS碳纳米管场效应管,本文提出了一种基于双栅材料的器件设计方法.

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来源
《物理学报》|2010年第7期|5010-5017|共8页
作者
周海亮; 张民选; 方粮;
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作者单位

国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理重点实验室,长沙,410073;

国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理重点实验室,长沙,410073;

国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理重点实验室,长沙,410073;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
双栅材料; 碳纳米管场效应管; 带间隧穿; 双极性传输;

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