机译:短沟道超薄全耗尽绝缘体上硅晶体管的超耦合效应
Institut d' Electronique et des Systemes, University of Montpellier, 34095 Montpellier Cedex 5, France ,IMEP-LAHC, MINATEC, Grenohle-INP, 38016 Grenoble Cedex 1, France;
IMEP-LAHC, MINATEC, Grenohle-INP, 38016 Grenoble Cedex 1, France;
CEA-LETI, MINATEC, 38054 Grenoble Cedex 1, France;
Institut d' Electronique et des Systemes, University of Montpellier, 34095 Montpellier Cedex 5, France;
Institut d' Electronique et des Systemes, University of Montpellier, 34095 Montpellier Cedex 5, France;
IMEP-LAHC, MINATEC, Grenohle-INP, 38016 Grenoble Cedex 1, France;
机译:短沟道部分耗尽的绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管的增强的辐射敏感性
机译:短沟道全耗尽双材料栅极绝缘体上硅金属半导体场效应晶体管的新分析模型
机译:可变体因子全耗尽绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的短沟道特性
机译:在部分耗尽和完全耗尽的环绕栅晶体管上特别强调的短通道多栅极SOI MOSFET的分析模型
机译:规模化和部分耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管中噪声机制的仿真。
机译:具有9原子和13原子宽的石墨烯纳米带的短通道场效应晶体管
机译:使用超薄绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的外延NiSi2晶化精确控制结位置
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应