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机译:(001)Si薄膜中声子限制载流子迁移率的理论研究
Univ. Grenoble Alpes, INAC-, L_Sim, Grenoble, France and CEA, INAC-MEM, L_Sim, Grenoble, France;
IEMN, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Ascq, France;
IEMN, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Ascq, France;
Univ. Grenoble Alpes, INAC-, L_Sim, Grenoble, France and CEA, INAC-MEM, L_Sim, Grenoble, France;
机译:具有(111)表面的超薄绝缘体上硅层和具有(001)表面的超薄绝缘体上锗的声子限制电子迁移行为和固有迁移率降低机理
机译:具有(001)或(111)Si表面沟道的超薄体单栅极和双栅极绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的声子有限电子迁移率的经验模型
机译:具有(001)和(111)Si表面沟道的低于10nm厚的绝缘体上硅-金属-氧化物-半导体场效应晶体管的声子限制电子迁移率的低温行为
机译:具有(111)或(001)Si表面沟道的亚十纳米以下SOI MOSFET的声子限制电子迁移率的低温行为模拟
机译:表面物理学的理论和实验研究:钠原子在阶梯式Na(110)表面上感受到的表面电迁移风力的理论;银(001)上反铁磁性氧化镍薄膜的磁和无序相变。
机译:研究(010)-VO2 /(001)-YSZ外延薄膜中的金属-绝缘体转变和结构相变
机译:载流子迁移率对多晶衬底上生长的⟨001⟩取向Si膜中晶粒镶嵌的影响
机译:siO2涂层衬底上区域熔化重结晶多晶硅薄膜的应力增强载流子迁移率。