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【2h】

Dependence of carrier mobility on grain mosaic spread in ⟨001⟩-oriented Si films grown on polycrystalline substrates

机译：载流子迁移率对多晶衬底上生长的⟨001⟩取向Si膜中晶粒镶嵌的影响

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Choi Woong; Matias Vladimir; Lee Jung-Kun; Findikoglu Alp T.;
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年度 2005
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1. Dependence of carrier mobility on grain mosaic spread in < 001 > -oriented Si films grown on polycrystalline substrates [J] . Woong Choi, Vladimir Matias, Jung-Kun Lee, Applied Physics Letters . 2005,第15期

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3. Grain-boundary-limited carrier mobility in polycrystalline silicon with negative temperature dependence: modeling carrier conduction through grain-boundary traps based on trap-assisted tunneling [J] . Hogyoku Michiru, Izumida Takashi, Tanimoto Hiroyoshi, Japanese journal of applied physics . 2019,第SB期

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机译：硅衬底上生长的001取向的Pr3 +掺杂的Pb（Mg1 / 3Nb2 / 3）O3-PbTiO3铁电纳米膜的合成巨电介质和热电响应
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机译：siO2涂层衬底上区域熔化重结晶多晶硅薄膜的应力增强载流子迁移率。

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