CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察

摘要

利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面.结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的位向关系或孪晶位向关系.结合以上电镜观察,对这些界面化合物的生长机制进行了讨论.