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机译:在V缓冲层上外延生长的NdFe_(12)N_x溅射膜的永久磁性能
TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC., 41-1 Nagakute, Aichi 480-1192, Japan;
TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC., 41-1 Nagakute, Aichi 480-1192, Japan;
Toyota Motor Corporation, 1200 Mishuku, Susono, Shizuoka 410-1193, Japan;
Toyota Motor Corporation, 1200 Mishuku, Susono, Shizuoka 410-1193, Japan;
TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC., 41-1 Nagakute, Aichi 480-1192, Japan;
机译:溅射压力和铝缓冲层厚度对射频磁控溅射生长AZO薄膜性能的影响
机译:使用室温外延缓冲层在ZnO衬底上生长的半极性Al_xGa_(1_x)N(1103)薄膜的结构特性
机译:使用原子平坦的ZnO衬底和室温外延缓冲层生长的半极性r平面GaN薄膜的光学性能的改进
机译:磁控溅射在ZnO缓冲层上生长的外延GaN薄膜的HRXRD研究
机译:外延生长的多层薄膜的磁性和化学结构性质。
机译:Al2O3缓冲层对溅射VO2薄膜性能的影响
机译:Pt缓冲层对通过溅射生长的外延FePd(001)有序合金中垂直磁各向异性的影响