法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-08-04
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20090204 申请日:20050519
专利权的终止
2009-02-04
授权
授权
2007-01-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-11-22
公开
公开
机译: 具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长
机译: 在砷化镓衬底上外延生长具有减少的硅污染物的砷化镓层的方法
机译: 包含铝,镓,铟,砷和锑的化合物的半导体组件具有台面结构,其侧面具有铝,镓,砷和锑的化合物的钝化层。