机译:GaN表面带弯曲的光致变化:生长技术,掺杂和极性的影响
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 4, 85748 Garching, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 4, 85748 Garching, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 4, 85748 Garching, Germany;
机译:极性和羟基终止对ZnO表面能带弯曲的影响
机译:衬底极性对GaAs(111)A和(111)B表面上低温GaN缓冲层生长的影响
机译:反应离子刻蚀引起的缺陷对重掺杂Mg的p型GaN表面带弯曲的影响
机译:Mg掺杂浓度受InGaN / GaN超晶格结构中GaN层极性的影响
机译:砷化镓(100)表面以及与氧,硫和金属的界面的能带弯曲,化学和形态。
机译:具有石墨烯量子点的GaN外延层中的光诱导掺杂
机译:极性和羟基终止对ZnO表面能带弯曲的影响
机译:在清洁的n和p-GaN(0001)表面上的能带弯曲和光发射诱导的表面光伏。