机译:通过使用新的Si-O-C原子间电势阐明(0001)Si面与(0001)C面之间4H-SiC各向异性氧化速率的原子尺度机理
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Mech Engn, Bunkyo Ku, 7-3-1 Hongo, Tokyo 1138656, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Int Ctr Mat Nanoarchitecton, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Int Ctr Mat Nanoarchitecton, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Fujitsu Labs Ltd, 10-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 2430197, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Mech Engn, Bunkyo Ku, 7-3-1 Hongo, Tokyo 1138656, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Mech Engn, Bunkyo Ku, 7-3-1 Hongo, Tokyo 1138656, Japan;
机译:在4H-SiC(0001)Si面和(000-1)C面衬底上热生长氧化物的同步加速辐射光电子能谱研究
机译:水蒸气等离子体氧化和4H-SiC(0001)热氧化澄清等离子体辅助抛光中原子尺度展平机理的实验研究
机译:精确评估4H-SiC(0001)Si面表面干湿热氧化过程中界面反应受限的生长
机译:在4H-SiC(0001)Si面和(000-1)C面衬底上热生长氧化物的同步加速器辐射光电子能谱研究
机译:探索与铁和锰结合的超氧化物歧化酶和合成类似物中氧化还原电位调节和底物/活性位点相互作用的机理。
机译:C面和Si面SiC {0001}表面上石墨烯形成的比较