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机译:OMVPE生长的GaAsBi QW激光器的特性和生长后热退火的影响
Univ Wisconsin, Dept Elect & Comp Engn, Madison, WI 53706 USA;
Univ Wisconsin, Dept Mat Sci & Engn, Madison, WI 53706 USA;
Univ Wisconsin, Dept Mat Sci & Engn, Madison, WI 53706 USA;
Univ Wisconsin, Dept Chem & Biol Engn, Madison, WI 53706 USA;
Univ Wisconsin, Dept Elect & Comp Engn, Madison, WI 53706 USA;
机译:生长后快速热退火对太赫兹量子级联激光器的输运和激光特性的影响
机译:热退火对(311)B和(001)Gaasbi / Gaas单量子孔的光学和结构性能的影响
机译:液滴外延生长的环形GaAs量子点激光器:生长后退火对结构和光学性质的影响
机译:采用铸造后热退火的准常规量子点的形成及其在ingaN / GaN量子阱中的光学特性
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
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