机译:气体吸附对掺杂B或N的石墨烯单层的稳定性,电子结构和扫描隧道显微镜的影响
Tokyo Inst Technol, Dept Phys, Meguro Ku, 2-12-1 Oh Okayama, Tokyo 1528551, Japan;
Tokyo Inst Technol, Dept Phys, Meguro Ku, 2-12-1 Oh Okayama, Tokyo 1528551, Japan|Tokyo Inst Technol, Adv Res Ctr Quantum Phys & Nanosci, Meguro Ku, 2-12-1 Oh Okayama, Tokyo 1528551, Japan|Tokyo Inst Technol, Mat Res Ctr Element Strategy, Midori Ku, 4259 Nagatsuta Cho, Yokohama, Kanagawa 2268503, Japan;
机译:6H-SiC(0001)(3×3)上单层石墨烯的原子和电子结构:扫描隧道显微镜研究
机译:由石墨烯和碳掺杂六边形硼层组成的异质结构的电子结构和扫描隧道显微镜图像
机译:由石墨烯和碳掺杂六边形硼层组成的异质结构的电子结构和扫描隧道显微镜图像
机译:通过扫描探针显微镜测量的石墨烯的电子输送和掺杂效应
机译:扫描隧道显微镜研究了铜酸盐电子结构掺杂依赖性的实空间和动量空间。
机译:调整杂化掺杂石墨烯和Ag3PO4复合材料的近能隙电子结构界面电荷转移和可见光响应:掺杂剂效应
机译:单层石墨烯在6H-siC(000-1)上的原子和电子结构(3 x 3):扫描隧道显微镜研究
机译:自组装有机硫醇单分子膜中含有的缺陷结构的直接可视化:电化学与扫描隧道显微镜的结合使用。