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机译:栅极电容的增加对p-MoS_2 / HfS_2 van der Waals异质结构隧穿场效应晶体管性能的影响
Tokyo Inst Technol, Dept Elect & Elect Engn, Meguro Ku, Tokyo 1528552, Japan;
Tokyo Inst Technol, Dept Elect & Elect Engn, Meguro Ku, Tokyo 1528552, Japan;
Tokyo Inst Technol, Dept Elect & Elect Engn, Meguro Ku, Tokyo 1528552, Japan;
Tokyo Inst Technol, Inst Innovat Res, Meguro Ku, Tokyo 1528552, Japan;
Tokyo Inst Technol, Dept Elect & Elect Engn, Meguro Ku, Tokyo 1528552, Japan;
机译:通过UV-O_3处理提高p-MoS_2 / HfS_2 van der Waals异质结构隧穿FET的性能
机译:P-MOS_2 / HFS_2 VAN DER WALAS的性能改进通过UV-O_3处理异质结构隧道FET
机译:基于气体MOS(2)范德瓦尔斯异质结构的高性能场效应晶体管和逻辑门
机译:具有Van Der Waals接触和负电容的陡坡p型2D WSe
机译:在原子上薄van der Waals半导体异质结构中的层间激子
机译:垂直隧穿单电子晶体管的平面和范德华异质结构
机译:无污染的晶片级组装HBN / Graphene Van der WaaS型石墨烯场效应晶体管异质结构