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机译:完全耗尽的绝缘体上硅数字电路中的体荷感应开关特性
NTT Microsystem Integration Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
metal-oxide-semiconductor field effect transistor; floating body; body potential; impact ionization; majority carriers;
机译:部分耗尽绝缘体上硅技术中数字集成电路的静态噪声分析
机译:陡峭的切换完全耗尽的绝缘体(FDSOI)相变场效应晶体管,具有优化的HFO 2 / Al 2 O 1 - 基于多层的阈值开关装置
机译:局部耗尽绝缘体上硅(PD-SOI)电路的延迟测试
机译:部分耗尽绝缘体上硅技术中数字集成电路的静态噪声分析
机译:带隙电压参考电路部分耗尽的硅 - 绝缘体CMOS技术
机译:通过可编程的基因可用性定时在生物传感器电路中进行数字切换
机译:部分耗尽硅绝缘子技术中数字集成电路的静态噪声分析