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机译:部分耗尽绝缘体上硅技术中数字集成电路的静态噪声分析
Dept. of Electr. Eng., Columbia Univ., New York, NY, USA;
MOS digital integrated circuits; silicon-on-insulator; leakage currents; integrated circuit noise; integrated circuit modelling; digital integrated circuits; PD-SOI; floating-body-induced threshold voltage variations; parasitic bipolar leakage curren;
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