机译:铟摩尔分数大的InGaN的脉冲激光辅助金属有机气相外延研究
Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan;
InGaN; MOVPE; Nd: YAG pulse laser; migration enhancement; low-temperature growth;
机译:金属有机气相外延在m平面ZnO衬底上生长InIn摩尔分数不同的InGaN
机译:氢化物气相外延形成铟摩尔分数为InGaN的纳米棒
机译:氢化物气相外延形成铟摩尔分数为InGaN的纳米棒
机译:用氢化物气相外延形成铟摩尔级分的IngaN纳米棒
机译:金属有机气相外延在硅衬底上生长砷化铟镓磷化物/磷化铟1.3微米双异质结构激光器
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:用电动势测定法测定这些汞齐上铟和汞的活性以及汞在25℃下从0.00216到0.02494摩尔分数铟和在70 C下从0.00067到0.02410摩尔分数铟的蒸气压通过电动势测量
机译:金属有机气相外延生长的铟镓砷和磷化铟中的可控氧结合