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机译:f源,氧化剂和NH_3 / Ar等离子体对原子层沉积制备HfAlO_x薄膜性能的影响
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete) 34, Miyukigaoka, Tsukuba, Ibaraki 305-8501, Japan;
atomic layer deposition; HfAlO_x; CMOSFETs; gate oxide; gate leakage current; impurities; NH_3/Ar plasma; mobility;
机译:NH_3 / Ar等离子体原子层沉积制备Hf AlO_x薄膜的物理和电学性质
机译:用N_2或NH_3等离子体通过PDMAT等离子体增强原子层沉积制备的TaN_x薄膜的扩散阻挡特性
机译:在Ar等离子体处理的SiO_2上通过远程等离子体原子层沉积沉积的Ru膜的性质
机译:f源,氧化剂和NH / sub 3 /自由基对原子层沉积制备的HfAlO / sub x /薄膜性能的影响
机译:用原子层沉积制备的高表面积钛酸盐(Atioα3)薄膜的研究
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅氧氮薄膜的微结构化学光学和电学性质的测量
机译:血浆参数对血浆增强原子层沉积在100℃下血浆增强原子层沉积的超薄Al2O3膜性能的影响