机译:栅凹槽蚀刻对生长AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的不同盖层的电流崩解的影响
Temasek Laboratories, Nanyang Technological University, Singapore;
AlGaN/GaN HEMTs; GaN cap layer; gate-recess; drain current collapse; leakage current; trapping effect;
机译:研究i-GaN,n-GaN,p-GaN和InGaN盖层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:低压化学气相沉积生长的双层SiN
机译:4H-SiC衬底上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管在GaN缓冲层中的Mg补偿效应
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积