机译:分辨率增强技术对45 nm节点ArF浸没式光刻术像差灵敏度的影响
Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China;
immersion lithography; resolution enhanced technology (RET); polarization; phase shift mask; aberration sensitivity;
机译:偏振照明对45 nm节点ArF浸没光刻法中高NA成像的影响
机译:ArF浸入工具上的“面膜增强剂”技术,用于制造0.249μm〜2静态随机存取存储器接触层的45nm节点互补金属氧化物半导体
机译:用193nm浸没式光刻成像干涉光刻和偶极子照明对45nm半节距节点进行仿真
机译:使用ArF浸没光刻技术对45nm节点接触孔进行图案化的RET掩模
机译:化学衍生化生物系统中代谢物的类别,以提高灵敏度和分辨率,通过NMR检测
机译:使用时间序列分析技术提高血清肽的表面增强激光解吸/电离飞行时间质谱记录的灵敏度和分辨率
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