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机译:用于抑制AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管漏电流的新型场板结构
School of Electrical Engineering and Computer Science #50, Seoul National University, Shinlim-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-742, Korea;
GaN; AlGaN; HEMT; leakage current; field plate;
机译:通过氧等离子体处理和场板结构的组合应用,大大降低了AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩溃
机译:氨分子束外延在100mm Si(111)上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构中GaN缓冲漏电流的研究
机译:用于抑制AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中栅极漏电流的AlGaN表面控制工艺
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:用于抑制AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中栅极漏电流的AlGaN表面控制工艺