...
机译:带硅源和漏区的绝缘体上应变硅锗锗n沟道晶体管,以提高性能
Silicon Nano Device Lab, Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore 117576;
Ge-condensation; silicon-germanium; epitaxy; strain; mobility;
机译:带有硅碳源/漏区的应变SOI n沟道晶体管,用于增强载流子传输
机译:带有硅源区和漏区以及嵌入式硅/锗作为应变传递结构的应变n沟道晶体管
机译:对硅-碳源-漏极应变n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中漏极电流波动的理解
机译:载体传输特性为硅 - 碳源/漏极区域的亚30 nm应变N沟道FinFET和用于进一步性能增强的方法
机译:在异质结双极晶体管的应变硅锗纳米层中研究碳分布,以增强硼的含量并改善载流子的传输。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:高性能N沟道多晶锗薄膜晶体管通过连续波激光结晶和绿色纳秒激光退火源和排水掺杂剂活化