机译:对硅-碳源-漏极应变n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中漏极电流波动的理解
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
机译:在n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的硅碳源漏结构中,应变诱发效应的接近性提高了电子迁移率
机译:布局对带硅碳应力源的应变n型金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的级联C_7H_x注入后快速固相外延和激光退火形成的低应变碳掺杂源极/漏极的高应变沟道
机译:具有增强的硅碳源极/漏极的应变N沟道冲击电离MOS(I-MOS)晶体管,可提高性能
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:具有ZrO2栅极电介质的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的正偏置温度不稳定性
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)