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机译:GaAs / AIAs多量子阱结构中相干纵向光子的太赫兹波的相干控制
Department of Physical Science, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8531, Japan;
Department of Applied Physics, Osaka City University, Osaka 558-8585, Japan;
Department of Physical Science, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8531, Japan;
Kobe Advanced Research Center, National Institute of Information and Communications Technology, Kobe 651-2492, Japan;
Kobe Advanced Research Center, National Institute of Information and Communications Technology, Kobe 651-2492, Japan;
Department of Applied Physics, Osaka City University, Osaka 558-8585, Japan;
机译:从相干纵向光学(LO)声子和(001) - ,(110) - 和(111)的半绝缘GaAs单晶中的连贯纵向光学(LO)声子和LO-Phonon等离子体耦合模式辐射到辐射电磁波
机译:从相干纵向光学(LO)声子和(001) - (110) - 和(111) -
机译:GaAs p-i-n二极管结构中相干纵向光子的电压可控太赫兹辐射
机译:未掺杂GaAs / n型GaAs外延结构中相干纵向光子-等离子体耦合模式太赫兹辐射的动力学特性
机译:碲中相干声子的超快动力学和光学控制。
机译:宽带太赫兹脉冲对砷化镓中光声子的相干激发
机译:使用Terahertz光谱研究的GaAs缓冲层中的GaAs缓冲层中的相干纵向光学声音的动态特性
机译:Gaas / alGaas多量子阱结构中的声子辅助重组。