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AlGaAs/GaAs多量子阱中相干控制光电流的超快弛豫

     
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摘要

在理论和实验上对室温下AlGaAs/GaAs量子阱中的相干控制光电流的超快动力学过程进行了研究.首次由密度矩阵和电子-空穴散射弛豫模型导出相干光电流的弛豫时间为600fs,并由三波长飞秒脉冲泵浦-探测技术测量的结果得到验证.

著录项

  • 来源
    《中山大学学报（自然科学版）》|2004年第6期|73-76|共4页
  • 作者

    林位株; 寿倩; 刘鲁宁; 吴羽; 文锦辉; 赖天树;

  • 作者单位

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥理工学院,广东,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥理工学院,广东,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥理工学院,广东,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥理工学院,广东,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥理工学院,广东,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥理工学院,广东,广州,510275;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 激光器设计;固体激光器;
  • 关键词

    飞秒脉冲; 半导体量子阱; 光学相干控制;

  • 入库时间 2023-07-25 16:28:23

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