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机译:自对准十纳米超薄体和埋入氧化物绝缘体上金属氧化硅半导体场效应晶体管的附加本体效应:三维仿真研究
Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan, R.O.C;
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机译:绝缘体上硅厚度小于5nm的(110)取向超薄双栅p型金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率降低
机译:累积型绝缘体上硅-金属-氧化物-半导体场效应晶体管中电子迁移率的实验研究
机译:基于射频模拟电路累积模式器件结构的Si(110)上非常高性能的新型新型平衡完全耗尽绝缘子上互补金属氧化物半导体场效应晶体管的研究
机译:埋沟型金属氧化物半导体场效应晶体管中Hooge参数的现象学反思
机译:用于低功率逻辑应用的铟镓砷化物埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
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机译:在刚性和柔性基板上的自对准,极高频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管。